透射電鏡（TEM）用氮化硅薄膜窗口
產品概述：
與X射線用氮化硅窗口類似，透射電鏡（TEM）用氮化硅薄膜窗口也采用低應力氮化硅薄膜基底。但整體尺度更小，適合TEM裝樣的要求。窗口有單窗口和多窗口陣列等不同規格。同時RISUN也定制多孔氮化硅薄膜窗口。
RISUN透射電鏡（TEM）用氮化硅薄膜窗產品規格如下：
單窗口系列:
2窗口系列：3mm（窗口尺寸：100x1500微米，薄膜厚度：20nm、40nm）
9窗口系列：3mm（窗口尺寸：100x100微米,100x350 微米，薄膜厚度：20nm、40nm）
邊框厚度： 200μm、381μm。
Si3N4薄膜厚度： 9-15nm、50nm、100nm
本產品為***次性產品，RISUN不建議用戶重復使用；本產品不能進行超聲清洗，適合化學清洗、輝光放電和等離子體清洗。
技術指標：
表面平整度：薄膜與其下的硅片同樣平整，RISUN提供的TEM用氮化硅薄膜窗口的表面粗糙度為：0.6-2nm，完全適用于TEM表征。
親水性：該窗格呈疏水性，如果樣品取自水懸浮液，懸浮微粒則不能均勻地分布在薄膜上。用等離子蝕刻機對薄膜進行親水處理，可暫時獲得親水效果。雖然沒有對其使用壽命進行過測試，但預期可以獲得與同樣處理的鍍碳TEM網格相當的壽命。我們可以生產此種蝕刻窗格，但無法保證其使用壽命。如果實驗室有蝕刻工具也可對其進行相應的處理提高其親水性能。
溫度特性：RISUN提供的氮化硅薄膜窗口產品是耐高溫產品，能夠承受1000度高溫，非常適合在其表面利用CVD方法生長各種納米材料。
化學特性：RISUN提供的氮化硅薄膜窗口是惰性襯底。
應用簡介和優點：
1、適合TEM、SEM、AFM、XPS、EDX等的對同***區域的交叉配對表征。
2、大窗口尺寸，適合TEM大角度轉動觀察。
3、無碳、無雜質的清潔TEM觀測平臺。
4、背景氮化硅無定形、無特征。
5、耐高溫、惰性襯底，適應各種聚合物、納米材料、半導體材料、光學晶體材料和功能薄膜材料的制備環境，（薄膜直接沉積在窗口上）。
6、生物和濕細胞樣本的理想承載體。特別是在等離子體處理后，窗口具有很好的親水性。
7、耐高溫、惰性襯底，也可以用于化學反應和退火效應的原位表征。
8、適合做為膠體、氣凝膠、有機材料和納米顆粒等的表征實驗承載體。
滬公網安備31011502016460號
